Электрофизические и оптические свойства кристаллов GaAs и ZnSnAS₂ сильно компенсированных электронным облучением: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН УССР. Ин-т физики

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ325997,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Мелев, В. Г.
Опубликовано: Киев , 1978
Физические характеристики: 17 с.
Язык: Русский

ОФХ отдела книгохранения

Всего : 1 , доступно: 1 Доступно  Заказать

Информация об экземплярах

Шифр Фонд Место нахождения Статус экземпляра Читальный зал
АЯ325997 ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:2:56 СВОБОДЕН Рекомендованный ЧитЗал