Исследование процессов рекомбинации на глубоких центрах в Ge, Si и GaAs при лазерном возбуждении: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН УССР. Ин-т полупроводников
Enregistré dans:
| Format: | |
|---|---|
| Auteur principal: | Линник, Л. Ф. |
| Publié: | Киев , 1973 |
| Description matérielle: |
14 с.
|
| Langue: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Réserver | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||