Исследование процессов рекомбинации на глубоких центрах в Ge, Si и GaAs при лазерном возбуждении: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН УССР. Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Линник, Л. Ф. |
| Опубликовано: | Киев , 1973 |
| Физические характеристики: |
14 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||