Инжекционное усиление в диодных и транзисторных структурах, чувствительных к внешним воздействиям: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН МССР, Ин-т приклад. физики

Сохранено в:
Шифр документа: 74341/89СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Курмашев, Ш. Д.
Опубликовано: Кишинев , 1989
Физические характеристики: 34 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr13697800000
005 20070313151126.0
100 # # $a 20070313d1989 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a MD 
200 1 # $a Инжекционное усиление в диодных и транзисторных структурах, чувствительных к внешним воздействиям  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f АН МССР, Ин-т приклад. физики 
210 # # $a Кишинев  $d 1989 
215 # # $a 34 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 29-34 (61 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Курмашев  $b Ш. Д.  $g Шамиль Джамашевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070313  $g psbo