Инжекционное усиление в диодных и транзисторных структурах, чувствительных к внешним воздействиям: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН МССР, Ин-т приклад. физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Курмашев, Ш. Д. |
| Опубликовано: | Кишинев , 1989 |
| Физические характеристики: |
34 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||