Применение метода фототока p-n перехода для измерения параметров полупроводниковых материалов: (252) / АН СССР. Ордена Ленина физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: АНД663675,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Котина, И. М.
Опубликовано: Л. , 1970
Физические характеристики: 27 с. : черт.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr12956930000
005 20070227192507.0
010 # # $d Б. ц. 
021 # # $a RU  $b [70-31078] 
100 # # $a 20070227d1970 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Применение метода фототока p-n перехода для измерения параметров полупроводниковых материалов  $e (252)  $f АН СССР. Ордена Ленина физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a Л.  $d 1970 
215 # # $a 27 с.  $c черт. 
300 # # $a Перед загл. авт.: И. М. Котина, Н. Е. Мазурик, С. Р. Новиков 
345 # # $9 160 экз. 
675 # # $a 537.311.5 
686 # # $a 252  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Котина  $b И. М.  $g Ирина Михайловна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070227  $g psbo