Применение метода фототока p-n перехода для измерения параметров полупроводниковых материалов: (252) / АН СССР. Ордена Ленина физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Котина, И. М. |
| Опубликовано: | Л. , 1970 |
| Физические характеристики: |
27 с. : черт.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||