Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров Шоттки: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Санкт-Петербург. гос. техн. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Карфул, Р. |
| Опубликовано: | СПб. , 1992 |
| Физические характеристики: |
15, [1] с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr11686330000 | ||
| 005 | 20070202153011.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [92-3578а] |
| 100 | # | # | $a 20070202d1992 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров Шоттки $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f Санкт-Петербург. гос. техн. ун-т |
| 210 | # | # | $a СПб. $d 1992 |
| 215 | # | # | $a 15, [1] с. $c граф. |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Карфул $b Р. $g Ризек |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070202 $g psbo |