Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров Шоттки: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Санкт-Петербург. гос. техн. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Карфул, Р. |
| Опубликовано: | СПб. , 1992 |
| Физические характеристики: |
15, [1] с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||