Исследование дефектов структуры полупроводников методом внутреннего трения: Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук: (046) / АН СССР. Сиб. Отд-ние. Совет секции общей и прикл. физики Объедин. учен. Совета по физ.-мат. и техн. наукам
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Зотов, М. И. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1969 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr10721980000 | ||
| 005 | 20061229151519.0 | ||
| 021 | # | # | $b [69-114725] |
| 100 | # | # | $a 20061229d1969 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование дефектов структуры полупроводников методом внутреннего трения $e Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук $e (046) $f АН СССР. Сиб. Отд-ние. Совет секции общей и прикл. физики Объедин. учен. Совета по физ.-мат. и техн. наукам |
| 210 | # | # | $a Новосибирск $d 1969 |
| 215 | # | # | $a 18 с. |
| 300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 17-18 (10 назв.) |
| 686 | # | # | $a 046 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Зотов $b М. И. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20061229 $g psbo |