Исследование дефектов структуры полупроводников методом внутреннего трения: Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук: (046) / АН СССР. Сиб. Отд-ние. Совет секции общей и прикл. физики Объедин. учен. Совета по физ.-мат. и техн. наукам
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Зотов, М. И. |
Опубликовано: | Новосибирск , 1969 |
Физические характеристики: |
18 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|