Переходные процессы в полупроводниках и диэлектрических диодах: Автореф. дисс. на соискание учен. степени д-ра физ.-мат. наук: (049) / Томский гос. ун-т им. В. В. Куйбышева. Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ130906,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Гаман, В. И.
Опубликовано: Томск : Изд. Томского ун-та , 1969
Физические характеристики: 34 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr10260480000
005 20061121162845.0
021 # # $b [69-92256] 
100 # # $a 20061121d1969 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Переходные процессы в полупроводниках и диэлектрических диодах  $e Автореф. дисс. на соискание учен. степени д-ра физ.-мат. наук  $e (049)  $f Томский гос. ун-т им. В. В. Куйбышева. Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова 
210 # # $a Томск  $c Изд. Томского ун-та  $d 1969 
215 # # $a 34 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 32-34 (53 назв.) 
686 # # $a 049  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Гаман  $b В. И.  $g Василий Иванович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20061121  $g psbo