|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ia4500 |
001 |
BY-NLB-rr10260480000 |
005 |
20061121162845.0 |
021 |
# |
# |
$b [69-92256]
|
100 |
# |
# |
$a 20061121d1969 y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
200 |
1 |
# |
$a Переходные процессы в полупроводниках и диэлектрических диодах
$e Автореф. дисс. на соискание учен. степени д-ра физ.-мат. наук
$e (049)
$f Томский гос. ун-т им. В. В. Куйбышева. Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова
|
210 |
# |
# |
$a Томск
$c Изд. Томского ун-та
$d 1969
|
215 |
# |
# |
$a 34 с.
|
300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 32-34 (53 назв.)
|
686 |
# |
# |
$a 049
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$a Гаман
$b В. И.
$g Василий Иванович
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20061121
$g psbo
|