Переходные процессы в полупроводниках и диэлектрических диодах: Автореф. дисс. на соискание учен. степени д-ра физ.-мат. наук: (049) / Томский гос. ун-т им. В. В. Куйбышева. Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гаман, В. И. |
| Опубликовано: | Томск : Изд. Томского ун-та , 1969 |
| Физические характеристики: |
34 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||