|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br393186 |
| 005 |
20220819151446.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20020321d2001 u y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a ua
|
| 105 |
# |
# |
$a a 001yy
|
| 109 |
# |
# |
$a aa
$a ac
|
| 200 |
1 |
# |
$a Влияние y-радиации и СВЧ излучения на параметры GaAs полевых транзисторов с барьером Шоттки
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук
$e 05.27.06
$f Ренгевич Алексей Евгеньевич
$g Нац. акад. наук Украины, Ин-т физики полупроводников
|
| 210 |
# |
# |
$a Киев
$d 2001
|
| 215 |
# |
# |
$a 20 с.
|
| 300 |
# |
# |
$a Рез.: укр., рус., англ
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: c. 14-17.
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24592
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24309
$a ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar38189
$a ШОТТКИ БАРЬЕРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6918
$a ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2475626
$a МИКРОВОЛНОВОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.03.05
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.21
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.06
$2 nsukr
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-524308
$a Ренгевич
$b А. Е.
$g Алексей Евгеньевич
$c кандидат технических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20020321
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060316
$g psbo
|
