|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br374168 |
| 005 |
20210223145738.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20020104d2001 k y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 105 |
# |
# |
$a y m 001yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Исследование образования поверхностных точечных дефектов в тонких пленках ЩГК на монокристалле Si (111) при облучении медленными электронами
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$e 01.04.04
$f Хожиев Шерали Тешаевич
$g Акад. наук Респ. Узбекистан, Ин-т электроники им. У.А.Арифова
|
| 210 |
# |
# |
$a Ташкент
$d 2001
|
| 215 |
# |
# |
$a 21 с.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 19-20 (6 назв.).
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35913
$a ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar55807
$a ИОННЫЕ КРИСТАЛЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2705960
$a ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫЕ КРИСТАЛЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar34161
$a ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1756760
$a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3174631
$a ЭЛЕКТРОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3341921
$a МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-br2203367
$a ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.11
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.21
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.04
$2 nsnrzz
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-506043
$a Хожиев
$b Ш. Т.
$g Шерали Тешаевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20020104
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060316
$g psbo
|
