Исследование образования поверхностных точечных дефектов в тонких пленках ЩГК на монокристалле Si (111) при облучении медленными электронами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Хожиев Шерали Тешаевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Хожиев, Ш. Т. |
| Опубликовано: | Ташкент , 2001 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||