Методика нанооксидирования и травления поверхности n-InGaAs с помощью атомно-силового микроскопа: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.01 / Соколов Дмитрий Васильевич
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Соколов, Д. В. |
| Veröffentlicht: | СПб. , 2001 |
| Beschreibung: |
16 с.
|
| Sprache: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||