Анализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композициях на его основе: Дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / БГУ
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Власукова, Л. А. (род. 1950) |
| Опубликовано: | Мн. , 1995 |
| Язык: | Русский |
| Предмет: | |
| Е-документ: |
E-документ
|
ОФХ диссертаций
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||