Исследование и моделирование AlGaN/GaN наногетероструктур для создания нормально-закрытых транзисторов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.2
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Чуканова, О. Б. |
| Опубликовано: | Москва , 2024 |
| Физические характеристики: |
22 с.
|
| Язык: | Русский |