Технология несплавных омических контактов полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов на гетероструктурах AlGaN/GaN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.3
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Павлов, В. Ю. |
| Опубликовано: | Москва , 2024 |
| Физические характеристики: |
22 с.
|
| Язык: | Русский |