|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001885125 |
005 |
20240221191717.0 |
100 |
# |
# |
$a 20240104d2023 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 1.3.5 Физическая электроника
$f Томашевич Александр Александрович
$g [место защиты: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники]
|
210 |
# |
# |
$a Томск
$d 2023
|
215 |
# |
# |
$a 25 с.
$c цв. ил., ил., табл.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 22—25
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar58871
$a СВЕТОДИОДЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4348477
$a ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2390800
$a КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar38874
$a ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1872074
$a ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 1.3.5
$2 oksvnk
|
686 |
# |
# |
$a 47.33.33
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 47.03.05
$v 6
$2 rugasnti
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar14619039
$a Томашевич
$b А. А.
$g Александр Александрович
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20240104
$g RCR
|