Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 1.3.5 Физическая электроника / Томашевич Александр Александрович

Сохранено в:
Шифр документа: 2//255951(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Томашевич, А. А.
Опубликовано: Томск , 2023
Физические характеристики: 25 с. : цв. ил., ил., табл.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0001885125
005 20240221191717.0
100 # # $a 20240104d2023 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e специальность 1.3.5 Физическая электроника  $f Томашевич Александр Александрович  $g [место защиты: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники] 
210 # # $a Томск  $d 2023 
215 # # $a 25 с.  $c цв. ил., ил., табл. 
320 # # $a Библиография: с. 22—25 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1658634  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar58871  $a СВЕТОДИОДЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar4348477  $a ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2390800  $a КВАНТОВЫЕ ЯМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar38874  $a ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1872074  $a ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ  $2 DVNLB 
686 # # $a 1.3.5  $2 oksvnk 
686 # # $a 47.33.33  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.03.05  $v 6  $2 rugasnti 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar14619039  $a Томашевич  $b А. А.  $g Александр Александрович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20240104  $g RCR