Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 1.3.5 Физическая электроника / Томашевич Александр Александрович
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Томашевич, А. А. |
| Опубликовано: | Томск , 2023 |
| Физические характеристики: |
25 с. : цв. ил., ил., табл.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||