|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001872012 |
| 005 |
20240110183351.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20231101d2023 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Моделирование радиационно-индуцируемых токов утечки транзисторов глубоко-субмикронных КНИ КМОП СБИС
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 2.2.2 Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
$f Лагаев Дмитрий Александрович
$g [место защиты: Национальный исследовательский университет Московский институт электронной техники]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2023
|
| 215 |
# |
# |
$a 26 с.
$c ил., табл.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 25—26
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18370
$a МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar34408
$a ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar11906
$a ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar83377
$a КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ-ТЕХНОЛОГИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1733974
$a УТЕЧКА (техн.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar26837
$a ИОНИЗИРУЮЩИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar64055
$a МОП-СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar14264
$a КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar25735
$a ПРОГРАММНО-АППАРАТНЫЕ КОМПЛЕКСЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 2.2.2.
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.03.05
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.14.07
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.01.77
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar14556000
$a Лагаев
$b Д. А.
$g Дмитрий Александрович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20231101
$g RCR
|
