
Моделирование радиационно-индуцируемых токов утечки транзисторов глубоко-субмикронных КНИ КМОП СБИС: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.2 Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств / Лагаев Дмитрий Александрович
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Лагаев, Д. А. |
Опубликовано: | Москва , 2023 |
Физические характеристики: |
26 с. : ил., табл.
|
Язык: | Русский |
Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|