High-power semiconductor devices / [guest editors: I. A. Lesk, James McCall, T. C. New]
Enregistré dans:
| Format: | |
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| Publié: | [S. l. : s. n. , 1970] |
| Description matérielle: |
С. 645―818 : іл. ; 29 см
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| Langue: | Английский |
| Collection: |
IEEE transactions on electron devices
vol. 17, № 9 |
1970, Vol.17,№9: High-power semiconductor devices
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Réserver | ||||||||||
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