|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001619469 |
005 |
20200810140953.0 |
100 |
# |
# |
$a 20200401d2020 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Лазаренко Александра Анатольевна
$g [Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет им. Ж. И. Алферова Российской академии наук]
|
210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2020
|
215 |
# |
# |
$a 16 с., включая обложку
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 13—16
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32980
$a ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1931
$a АЗОТ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar56130
$a НИТРИДЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2685016
$a КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39090
$a ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar22258
$a ОТЖИГ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21821
$a ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4234633
$a ОРГАНИЧЕСКИЕ СВЕТОДИОДЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1950898
$a ПАРАМЕТРИЗАЦИИ МЕТОД
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.24
$v 6
$2 rugasnti
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13729368
$a Лазаренко
$b А. А.
$g Александра Анатольевна
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20200401
$g RCR
|