Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Лазаренко Александра Анатольевна
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Лазаренко, А. А. |
| Опубликовано: | Санкт-Петербург , 2020 |
| Физические характеристики: |
16 с., включая обложку : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||