ЛПД из GaAs с барьером Шоттки / О. Ф. Шустова, В. П. Снегирев
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Шустова, О. Ф. |
| Опубликовано: | Москва : ЦНИИ "Электроника" , 1974 |
| Физические характеристики: |
28, [2] с. : ил. ; 21 см
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Обзоры по электронной технике
1974, вып. 5 (226) |
Загрузка