|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001362771 |
| 005 |
20170420155758.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20170228d2017 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a y m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Структурные и электрофизические свойства аморфных HfxAl1-xOy и сегнетоэлектрических HfxLa1-xOy, HfxZr1-xOy тонкопленочных оксидов, формируемых методом атомно-слоевого осаждения
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.04 Физическая электроника
$f Черникова Анна Георгиевна
$g [Московский физико-технический институт]
|
| 210 |
# |
# |
$a Долгопрудный
$d 2017
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 21—22
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35913
$a ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar17342
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar29520
$a СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar34161
$a ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2722583
$a ОКИСНЫЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4185320
$a АМОРФНЫЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6976
$a ГАФНИЙ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar8169841
$a ОСАЖДЕНИЕ АТОМНЫХ СЛОЕВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39284
$a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.03
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.35
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.04
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar12027694
$a Черникова
$b А. Г.
$g Анна Георгиевна
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20170228
$g psbo
|
