|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001332089 |
| 005 |
20230403160827.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20161104d2016 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a y m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGаAs/GaAs, содержащих слои разбавленного магнитного полупроводника
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Малышева Евгения Игоревна
$g [Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского]
|
| 210 |
# |
# |
$a Нижний Новгород
$d 2016
|
| 215 |
# |
# |
$a 24 с.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 20—24
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar58871
$a СВЕТОДИОДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar8902405
$a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar16761
$a ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3270195
$a СПИНОВАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar46815
$a РАЗРАБОТКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar55517
$a ИССЛЕДОВАНИЙ МЕТОДЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.11
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.03.05
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar11524056
$a Малышева
$b Е. И.
$g Евгения Игоревна
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20161104
$g RCR
|
