Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGаAs/GaAs, содержащих слои разбавленного магнитного полупроводника: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Малышева Евгения Игоревна
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Малышева, Е. И. |
| Опубликовано: | Нижний Новгород , 2016 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||