Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Горн Дмитрий Игоревич
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Горн, Д. И. |
| Апублікавана: | Томск , 2012 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
18 с. : ил.
|
| Мова: | Руская |
| Прадмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||