Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе ALGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Шашкин Илья Сергеевич
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Шашкин, И. С. |
| Апублікавана: | Санкт-Петербург , 2012 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
16 с. : ил.
|
| Мова: | Руская |
| Прадмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||