Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом мос-гидридной эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук: специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники / Вагапова Наргиза Тухтамышевна
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Вагапова, Н. Т. |
| Veröffentlicht: | Москва , 2012 |
| Beschreibung: |
24 с. : ил.
|
| Sprache: | Русский |
| Schlagworte: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||