Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.27.06 / Ермошин Иван Геннадьевич
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Ермошин, И. Г. |
| Veröffentlicht: | Москва , 2009 |
| Beschreibung: |
20 с. : ил.
|
| Sprache: | Русский |
| Schlagworte: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||