Формирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники / Доан Тхе Хоанг
Saved in:
| Format: | |
|---|---|
| Main Author: | Доан Тхе Хоанг |
| Published: | Минск , 2023 |
| Physical Description: |
21 с. : ил., схемы
|
| Language: | Russian Byelorussian English |
| Subjects: | |
| E-document: |
E-document
|
| 00000cam0a2200000 ia4500 | |||
| 001 | BY-CNB-br5716421 | ||
| 005 | 20240328162405.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20230919d2023 k y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus $d bel $d rus $d eng |
| 102 | # | # | $a BY |
| 105 | # | # | $a a m 000yy |
| 109 | # | # | $a ac $a aa |
| 200 | 1 | # | $a Формирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук $e специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники $f Доан Тхе Хоанг $g Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники" |
| 210 | # | # | $a Минск $d 2023 |
| 215 | # | # | $a 21 с. $c ил., схемы |
| 300 | # | # | $a Резюме параллельно на белорусском, русском, английском языках |
| 311 | # | # | $a В фонде НББ имеется диссертация |
| 320 | # | # | $a Библиография: с. 17—18 (13 назв.) |
| 488 | # | 1 | $1 001BY-NLB-br0001898205 |
| 517 | 1 | # | $a Формирование тонкоплёночных слоёв с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением |
| 606 | 0 | # | $3 BY-NLB-ar11906 $a ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ $2 DVNLB |
| 606 | 0 | # | $3 BY-NLB-ar64055 $a МОП-СТРУКТУРЫ $2 DVNLB |
| 606 | 0 | # | $3 BY-NLB-ar33870 $a ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА $2 DVNLB |
| 606 | # | # | $3 BY-NLB-ar34171 $a ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ $2 DVNLB |
| 606 | # | # | $3 BY-NLB-ar34161 $a ТОНКИЕ ПЛЕНКИ $2 DVNLB |
| 606 | 0 | # | $3 BY-NLB-ar1756760 $a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ $2 DVNLB |
| 606 | # | # | $3 BY-NLB-ar1670946 $a СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ $2 DVNLB |
| 606 | # | # | $3 BY-NLB-ar9573 $a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ $2 DVNLB |
| 606 | # | # | $3 BY-NLB-ar19558 $a НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ $2 DVNLB |
| 606 | # | # | $3 BY-NLB-ar4777100 $a МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ $2 DVNLB |
| 606 | # | # | $3 BY-NLB-ar15827 $a ЛЕГИРОВАНИЕ $2 DVNLB |
| 606 | 0 | # | $3 BY-NLB-ar2644768 $a ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ $2 DVNLB |
| 606 | # | # | $3 BY-NLB-ar39284 $a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА $2 DVNLB |
| 615 | # | # | $a Белорусский национальный документ |
| 675 | # | # | $a 621.382.049.77-027.3:621.793.7(043.3) $v 4 $z rus |
| 686 | # | # | $a 47.13.11 $v 6 $2 rugasnti |
| 686 | # | # | $a 47.13.33 $v 6 $2 rugasnti |
| 686 | # | # | $a 47.09.31 $v 6 $2 rugasnti |
| 686 | # | # | $a 55.22.23 $v 6 $2 rugasnti |
| 686 | # | # | $a 55.20.15 $v 6 $2 rugasnti |
| 686 | # | # | $a 05.27.06 $2 nsnrrb |
| 700 | # | 0 | $3 BY-CNB-ar2722762 $a Доан Тхе Хоанг $c кандидат технических наук $c микроэлектроника |
| 712 | 0 | 2 | $3 BY-NLB-ar186905 $a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники $c Минск $4 595 $4 995 |
| 801 | # | 0 | $a BY $b BY-HM0005 $c 20230921 $g RCR |
| 830 | # | # | $a 19.10.2023 |
| 856 | 4 | 9 | $u https://elib.nlb.by:8070/viewer/?markID=BY-CNB-br5716421&fileID=11978137 |