Возбуждение поверхностных поляритонов лазерным излучением в полупроводниках с узкой запрещенной зоной
Захавана ў:
Паказ/утойванне дадатковай інфармацыі.
| Аўтар: | Во Хонг Ань |
|---|---|
| Тып дакумента: | |
| Апублікавана: | Дубна : ОИЯИ , 1980 |
| Мова: | Руская |
| Серыя: |
Препринт
Р17-80-426 |
| 00000nam1a22000001ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr38845220000 | ||
| 005 | 20071022192549.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20071022d1980 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Возбуждение поверхностных поляритонов лазерным излучением в полупроводниках с узкой запрещенной зоной |
| 210 | # | # | $a Дубна $c ОИЯИ $d 1980 |
| 225 | 2 | # | $a Препринт $f Объед. ин-т ядер. исслед. $v Р17-80-426 |
| 700 | # | 1 | $a Во Хонг Ань |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071022 $g psbo |