Ик-лазерно-индуцированная перестройка собственных и примесных дефектов в узкощелевых полупроводниках A4B6: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УССР, Ин-т полупроводников
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Дарчук, С. Д. |
Опубликовано: | Киев , 1987 |
Физические характеристики: |
15 с.
|
Язык: | Русский |
00000cam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr34438610000 | ||
005 | 20221021123911.0 | ||
100 | # | # | $a 20070727d1987 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UA |
200 | 1 | # | $a Ик-лазерно-индуцированная перестройка собственных и примесных дефектов в узкощелевых полупроводниках A4B6 $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН УССР, Ин-т полупроводников |
210 | # | # | $a Киев $d 1987 |
215 | # | # | $a 15 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 14-15 (14 назв.). Для служеб. пользования |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Дарчук $b С. Д. $g Сергей Дмитриевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070727 $g psbo |