Ик-лазерно-индуцированная перестройка собственных и примесных дефектов в узкощелевых полупроводниках A4B6: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УССР, Ин-т полупроводников

Сохранено в:
Шифр документа: 39603/87СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Дарчук, С. Д.
Опубликовано: Киев , 1987
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr34438610000
005 20221021123911.0
100 # # $a 20070727d1987 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Ик-лазерно-индуцированная перестройка собственных и примесных дефектов в узкощелевых полупроводниках A4B6  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f АН УССР, Ин-т полупроводников 
210 # # $a Киев  $d 1987 
215 # # $a 15 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 14-15 (14 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Дарчук  $b С. Д.  $g Сергей Дмитриевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070727  $g psbo