Изготовление и свойства тонких пленок Si3N4, полученных с помощью реакции в условиях ВЧ-тлеющего разряда
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Свон, Р. |
Опубликовано: | М. , 1967 |
Физические характеристики: |
21 с.
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Переводы иностр. литературы. Серия: Полупроводниковые приборы и микроэлектроника
Пер. № 101/ЭТ-2705 |
00000nam0a22000001ib4500 | |||
001 | BY-NLB-rr30315640000 | ||
005 | 20070612195029.0 | ||
100 | # | # | $a 20070612d1967 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Изготовление и свойства тонких пленок Si3N4, полученных с помощью реакции в условиях ВЧ-тлеющего разряда |
210 | # | # | $a М. $d 1967 |
215 | # | # | $a 21 с. |
225 | 2 | # | $a Переводы иностр. литературы. Серия: Полупроводниковые приборы и микроэлектроника $f М-во электронной пром-сти СССР. Центр. науч.-исслед. ин-т техн.-экон. исследований и науч. информации $v Пер. № 101/ЭТ-2705 |
300 | # | # | $a Перед. загл. авт.: Свон, Р., Мехта Р. и Кож, Т. На обл. авт. не указаны |
675 | # | # | $a 539.23 |
700 | # | 1 | $a Свон $b Р. |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070612 $g psbo |