Изготовление и свойства тонких пленок Si3N4, полученных с помощью реакции в условиях ВЧ-тлеющего разряда

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ103483,
Вид документа: Книги
Автор: Свон, Р.
Опубликовано: М. , 1967
Физические характеристики: 21 с.
Язык: Русский
Серия: Переводы иностр. литературы. Серия: Полупроводниковые приборы и микроэлектроника Пер. № 101/ЭТ-2705
00000nam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr30315640000
005 20070612195029.0
100 # # $a 20070612d1967 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Изготовление и свойства тонких пленок Si3N4, полученных с помощью реакции в условиях ВЧ-тлеющего разряда 
210 # # $a М.  $d 1967 
215 # # $a 21 с. 
225 2 # $a Переводы иностр. литературы. Серия: Полупроводниковые приборы и микроэлектроника  $f М-во электронной пром-сти СССР. Центр. науч.-исслед. ин-т техн.-экон. исследований и науч. информации  $v Пер. № 101/ЭТ-2705 
300 # # $a Перед. загл. авт.: Свон, Р., Мехта Р. и Кож, Т. На обл. авт. не указаны 
675 # # $a 539.23 
700 # 1 $a Свон  $b Р. 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070612  $g psbo