|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr18690890000 |
| 005 |
20070510130757.0 |
| 010 |
# |
# |
$b В пер.
$d 2 р. 24 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [63-11439]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070510d1963 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Физические свойства и конструкции полупроводниковых приборов
$e Пер. с англ.
$f Под ред. д-ра техн. наук проф. Г. А. Тягунова
|
| 210 |
# |
# |
$a Л.
$a М.
$c Госэнергоиздат
$d 1963
|
| 215 |
# |
# |
$a 552 с.
$c илл.
$d 21 см
|
| 300 |
# |
# |
$a На корешке загл.: Свойства и конструкции полупроводниковых приборов. Доп. тит. л.: The properties, physics and design of semiconductor devices. By J. N. Shive. Nostrand, 1959. Библиогр. в конце глав
|
| 345 |
# |
# |
$9 16000 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводниковые приборы
|
| 700 |
# |
1 |
$a Шайв
$b Дж. Н.
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070510
$g psbo
|
