|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-br254979 |
| 005 |
20230915134704.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 200 r.
|
| 100 |
# |
# |
$a 20000417d1999 u y0bely50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a eng
|
| 102 |
# |
# |
$a ru
|
| 105 |
# |
# |
$a y 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Creation of oxygen-enriched layers at the surface of GaAs single crystal
$f M. Kulik, A. P. Kobzev, D. Maczka
|
| 210 |
# |
# |
$a Dubna
$c The Joint Institute for Nuclear Research
$d 1999
|
| 215 |
# |
# |
$a 8 p.
|
| 225 |
1 |
# |
$a Preprint
$f The Joint Institute for Nuclear Research
$v E15-99-265
|
| 300 |
# |
# |
$a Загл. ориг. : Создание обогащенных кислородом слоев на поверхности монокристалла GaAs
|
| 300 |
# |
# |
$a - Ref. : p. 8
|
| 345 |
# |
# |
$9 270 экз.
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35850
$a ФІЗІКА ЦВЁРДАГА ЦЕЛА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18852
$a МОНАКРЫШТАЛІ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar23905
$a ПАВЕРХНІ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12159
$a ІОННАЯ ІМПЛАНТАЦЫЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21822
$a АПТЫЧНЫЯ ЎЛАСЦІВАСЦІ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar23915
$a ПАВЕРХНЕВЫ СЛОЙ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar13411
$a КІСЛАРОД
$2 DVNLB
|
| 675 |
# |
# |
$a 539.211:539.23]:538.958
$v 3
$z rus
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.21
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.31.21
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$a Кулик
$b М.
$c физик
|
| 701 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-131337
$a Кобзев
$b А. П.
$g Александр Павлович
|
| 701 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-362782
$a Мончка
$b Д.
|
| 712 |
0 |
2 |
$3 BY-NLB-ar173842
$a Объединенный институт ядерных исследований
$e Дубна, Московская область
$4 475
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20000417
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060315
$g psbo
|
