Физико-технологические основы создания мощных биполярных кремниевых транзисторов различного назначения в диапазоне частот 100-1000 МГц: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук: 05.27.01 / НИИ электрон. техники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Асессоров, В. В. |
| Опубликовано: | Воронеж , 1999 |
| Физические характеристики: |
35 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||