Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3В5: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.06 / Новочеркас. гос. техн. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Сысоев, И. А. |
| Опубликовано: | Новочеркасск , 1993 |
| Физические характеристики: |
14 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||