Дефектно-примесное взаимодействие в ионноимплантированных слоях полупроводниковых соединений А3В5 и его роль в формировании активных приборных структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Моск. ин-т стали и сплавов

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад12764,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Кольцов, Г. И.
Опубликовано: М. , 1993
Физические характеристики: 38 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br150974
005 20070615190346.8
100 # # $a 19930101d1993 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001 y 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Дефектно-примесное взаимодействие в ионноимплантированных слоях полупроводниковых соединений А3В5 и его роль в формировании активных приборных структур  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук  $e 01.04.10  $f Моск. ин-т стали и сплавов 
210 # # $a М.  $d 1993 
215 # # $a 38 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 35-38 (32 назв.) Для служеб. пользования. Экз. 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-364048  $a Кольцов  $b Г. И.  $g Геннадий Иосифович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo