Дефектно-примесное взаимодействие в ионноимплантированных слоях полупроводниковых соединений А3В5 и его роль в формировании активных приборных структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Моск. ин-т стали и сплавов
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Кольцов, Г. И. |
| Опубликовано: | М. , 1993 |
| Физические характеристики: |
38 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||