Modulation-doped field-effect transistors: principles/design/and technology / edited by Heinrich Daembkes

Сохранено в:
Шифр документа: ИН212480К,
Вид документа: Книги
Опубликовано: New York : IEEE Press , 1991
Физические характеристики: XI, 523 c. : іл., партр.
Язык: Английский
Серия: IEEE Press selected reprint series
00000cam0a22000003ib4500
001 BY-NLB-br0001668943
005 20210113164835.0
100 # # $a 20210113d1991 |||||bel|50 ba 
101 0 # $a eng 
200 1 # $a Modulation-doped field-effect transistors  $e principles/design/and technology  $f edited by Heinrich Daembkes 
210 # # $a New York  $c IEEE Press  $d 1991 
215 # # $a XI, 523 c. : іл., партр. 
225 1 # $a IEEE Press selected reprint series 
701 # 1 $a Daembkes  $b Heinrich 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20201209  $g RCR