|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001521758 |
| 005 |
20190404103331.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20190111d2018 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Механизмы формирования высокотемпературных слоев AlN и AlGaN в аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния
$f Майборода Иван Олегович
$g Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2018
|
| 215 |
# |
# |
$a 26 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 24—26
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3130678
$a ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6582
$a ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39620
$a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24113
$a ПОДЛОЖКИ (электроника)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2326536
$a САПФИРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2282245
$a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4048642
$a БУФЕРНЫЕ СЛОИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24602
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.07
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.03
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13425414
$a Майборода
$b И. О.
$g Иван Олегович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20190111
$g RCR
|
