|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001412859 |
| 005 |
20200910084948.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20170912d2017 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Кинетика двумерно-островкового зарождения при гомоэпитаксиальном росте на поверхности Si(111)
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальностт 01.04.07 Физика конденсированного состояния, 01.04.10 Физика полупроводников
$f Рогило Дмитрий Игоревич
$g [Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук]
|
| 210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 2017
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 21—22
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3130678
$a ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15096
$a КРЕМНИЙ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2282245
$a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2685025
$a ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar28578
$a РОСТ КРИСТАЛЛОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1807
$a АДАТОМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2788606
$a ФИЗИКА ПОВЕРХНОСТИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar13824121
$a ГОМОЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.03
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.07
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar12903861
$a Рогило
$b Д. И.
$g Дмитрий Игоревич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20170912
$g RCR
|
