|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000706390 |
| 005 |
20111102145055.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20111017d2011 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Тимошнев Сергей Николаевич
$g [Санкт-Петербургский академический университет – научно-образовательный центр нанотехнологий РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2011
|
| 215 |
# |
# |
$a 20 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 18—20
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar56130
$a НИТРИДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar88186
$a ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4408521
$a НАНООБЪЕКТЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39090
$a ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.24
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar4508246
$a Тимошнев
$b С. Н.
$g Сергей Николаевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20111017
$g psbo
|
