Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 01.04.07 / Салтымаков Максим Сергеевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2//82055(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Салтымаков, М. С.
Опубликовано: Томск , 2010
Физические характеристики: 18 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0000466488
005 20100406132735.0
100 # # $a 20100312d2010 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e 01.04.07  $f Салтымаков Максим Сергеевич  $g [Томский политехнический университет] 
210 # # $a Томск  $d 2010 
215 # # $a 18 с.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: с. 17—18 (14 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar3130678  $a ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24594  $a ПОЛУПРОВОДНИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar34161  $a ТОНКИЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar12168  $a ИОННО-ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar12180  $a ИОННЫЕ ПУЧКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2924296  $a ИМПУЛЬСНЫЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.03  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.21  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.16  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Салтымаков  $b М. С.  $g Максим Сергеевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20100312  $g psbo