Электронный каталог Национальной библиотеки Беларуси

Условия выращивания и формирования реальной структуры крупных монокристаллов алмаза: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Ин-т физики твердого тела и полупроводников Нац. АН Беларуси. - Мн., 1998. - 20 с.

“...548.55(043.3) 3 rus...”

Электрические и оптические свойства эпитаксиальных структур ZnSe, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии / М.В.Греков, Е.М.Дианов, А.М.Прохоров и др. - М., 1994. - 33 с. - (Препр. ; N 3)

“...548.55 3 rus...”

Монокристаллы группы АII ВVI: Выращивание, свойства, применение / В.К.Комарь, В.М.Пузиков. - Харьков : Ин-т монокристаллов, 2002. - 244 с. - (Состояние и перспективы развития функциональных материалов для науки и техники)

“...548.55 3 rus...”

Формирование монокристаллов In2S3, тонких пленок и поверхностно-барьерных структур на их основе: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.27.06: защищена 16.04.09: утверждена 04.06.09 / Полубок Владислав Анатольевич. - Минск, 2008. - 121 л.

“...548.55(043.3) 4 rus...”

Выращивание монокристаллов CuIn5S8, AgIn5S8 и твердых растворов CuxAg1-xIn5S8 и создание структур на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.01 / Бел. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники. - Мн., 1999. - 16 с.

“...548.55(043.3) 3 rus...”

Влияние гиротропии и электроиндуцированной анизотропии на акустооптические эффекты в монокристаллах и волноводных структурах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / Гомел. гос. ун-т им. Ф.Скорины. - Гомель, 1999. - 21 с.

“...548.55:535(043.3) 3 rus...”

Синтез и свойства монокристаллов, пленок AgGaTe2 и поверхностно-барьерных структур на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.06: 12.02.2004 / Образцова Ольга Николаевна. - Мн., 2004. - 21 с.

“...548.55(043.3) 3 rus...”

Формирование и свойства монокристаллов CuIn3Se5, CuGa3Se5, CuGa5Se8 и гетероструктур на их основе: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 05.27.01: защищена 07.06.07: утверждена 03.10.07 / Кушнер Татьяна Леонидовна. - Минск, 2007. - 133 л.

“...548.55:53(043.3) 4 rus...”

Выращивание и свойства монокристаллов халькогенидов FeIn2S4 и FeIn2Se4 для широкополосных фотопреобразователей: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники / Павлюковец Сергей Анатольевич. - Минск, 2012. - 22 с.

“...548.55:53(043.3) 4 rus...”

Выращивание и свойства монокристаллов халькогенидов FeIn2S4 и FeIn2Se4 для широкополосных фотопреобразователей: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники / Павлюковец Сергей Анатольевич. - Минск, 2012. - 115 л.

“...548.55:53(043.3) 4 rus...”

Базовые технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на кремнии / [О. Ю. Наливайко и др.]. Т. 1. — 688 с.

“...548.55 4 rus...”

Выращивание и свойства монокристаллов CuInS2, (CuIn5S8)1-x·(In2S3)x и поверхностно-барьерные структуры на их основе: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники / Шаталова Виктория Викторовна. - Минск, 2014. - 21 с.

“...548.55(043.3) 4 rus...”

Выращивание и свойства монокристаллов CuInS2, (CuIn5S8)1-x·(In2S3)x и поверхностно-барьерные структуры на их основе: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники / Шаталова Виктория Викторовна. - Минск, 2013. - 125, [3] л.

“...548.55(043.3) 4 rus...”

Выращивание и свойства монокристаллов тройных соединений FeIn2S4, CuIn5S8 и твердых растворов (FeIn2S4)1-x∙(CuIn5S8)x: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники / Жафар Махмуд Ахмед Махмуд. - Минск, 2018. - 21 с.

“...548.55:53(043.3) 4 rus...”

Выращивание и свойства полупроводниковых монокристаллов твердых растворов (In2S3)x·(AgIn5S8)1-x: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники / Фещенко Артем Александрович. - Минск, 2022. - 21 с.

“...537.311.322:548.55(043.3) 4 rus...”

Scintillator crystals, radiation detectors & instruments on their base / B. Grynyov, V. Ryzhikov, Jong Kyung Kim, Moosung Jae. - Kharkiv, 2004. - 374 p.

“...661:548.55 3 rus...”

Закономерности распределения междоузельного кислорода в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10; 01.04.01 / Петух Алла Николаевна. - Мн., 2000. - 18 с.

“...548.55(043.3) 3 rus...”

Закономерности распределения междоузельного кислорода в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского: Дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 ; 01.04.01: 24.11.2000: 21.02.2001 / Бел. гос. ун-т. - Мн., 2000

“...548.55(043.3) 3 rus...”

Акустооптическое взаимодействие в гиротропных монокристаллах и оптических волноводах: Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.05: Защищена 18.02.03: Утв. 01.10.03 / Кулак Геннадий Владимирович. - Мозырь, 2003. - 253 с.

“...548.55:53(043.3) 3 rus...”

Фотоэлектрические свойства монокристаллов и тонких пленок теллурида кадмия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.10: защищена 24.06.11: утверждена 14.09.11 / Ронасси Али Араш. - Минск, 2011. - 113 л.

“...621.315.592:661.848'056.2:548.55.03:535.215(043.3) 4 rus...”

Связанные темы